在現(xiàn)代光電領(lǐng)域，尤其是太陽能電池和光電探測器等設(shè)備的研究中，外部量子效率eqe是一個至關(guān)重要的性能參數(shù)。它不僅反映了設(shè)備將入射光子轉(zhuǎn)換為電子的能力，還直接影響著設(shè)備的效率和性能。
 

　　什么是外部量子效率eqe？
 

　　外部量子效率eqe(QuantumEfficiency,QE)，是指設(shè)備在一定波長的光照射下，收集到的電荷載體數(shù)量與入射光子數(shù)量之比。具體來說，它是設(shè)備輸出電流與入射光功率的比值，通常以百分比表示。
 

　　測量外部量子效率eqe通常需要專門的設(shè)備，包括光源、單色儀、鎖相放大器和樣品架等。常見的測量步驟如下：
 

　　1.準備樣品：將待測樣品固定在樣品架上。
 

　　2.光源選擇：選擇合適的光源，如氙燈或鹵素燈，通過單色儀產(chǎn)生特定波長的光。
 

　　3.光電流測量：使用鎖相放大器測量不同波長下的光電流。
 

　　4.計算EQE：根據(jù)測得的光電流和已知的光功率，利用上述公式計算EQE。
 

　　影響EQE的因素
 

　　外部量子效率eqe受多種因素影響，主要包括：
 

　　1.材料特性：半導體材料的帶隙、吸收系數(shù)和少數(shù)載流子壽命等都會影響EQE。
 

　　2.器件結(jié)構(gòu)：器件的厚度、界面質(zhì)量以及電極的設(shè)計等也會對EQE產(chǎn)生影響。
 

　　3.表面復合：表面態(tài)的存在會導致載流子在表面復合，降低EQE。
 

　　4.缺陷態(tài)：材料內(nèi)部的缺陷態(tài)會捕獲載流子，減少有效的光生載流子數(shù)量。
 

　　5.反射和透射損失：入射光在器件表面的反射和透射損失也會影響EQE。